Meiao Kitchen & Bh PVD prozesua agerian utzi da
2024-03-21
PVD (Lurrunbide Fisikoaren depositua) gainazaleko tratamendu teknologiko aurreratua da, hutsezko baldintzen arabera burututakoa da, eta, horretarako, material solido edo likido baten azalera fisikoki atomo gaseosoetan, molekuletan edo partzialki ionizatuta dago, ioietan metatzen diren ioietan metatzen direnak. substratua funtzio berezi batekin film mehea osatzeko. Teknologia hiru kategoria nagusitan banatuta dago: hutsean lurruntzeko estaldura, hutsezko sputtering estaldura eta hutsezko ioi estaldura, prozesu metodo ugari biltzen dituena, hala nola lurruntzea, sputtering eta arku elektrikoa.
PVD prozesuan, lehen urratsa plaka materiala gasifikatzea da. Gas hauek, ondoren, substratuaren gainazalean migratzen eta gordailatzen dute hutsezko ingurunean film mehea osatzeko. Prozesu osoa erraza da, kutsatu gabea eta ingurumena errespetatzen duena, eta zinema eraketa uniformea eta trinkoa da, substratuaren lotura sendoarekin.
PVD teknologia oso erabilia da aeroespazialaren, elektronikaren, optika, makineria, eraikuntza eta bestelako zelaietan, higadura erresistenteak, korrosioak erresistenteak, apaingarriak, elektrikoki eroaleak, isolatzaileak, isolatzaileak, piezoelektrikoak, magnetikoak, lubrifikazioa, superkonduktiboa filmaren. Teknologia altua eta sortzen ari diren industriak garatzearekin batera, teknologia etengabe berritzen ari da eta teknologia aurreratu berri askok, esate baterako, arku anitzeko ildoa eta magnetroa, arku-arku luzeko xede luzea eta sputering xede, etab. Teknologiaren garapena sustatzea.
Gure fabrikak lurruntze estalduraren lehen mota erabiltzen du eta estalduraren prozesu osoa beheko xehetasunetan deskribatuko da.
Hutsean lurruntzeko estaldura PVD teknologiako metodo zaharren eta gehien erabiltzen den metoetako bat da. Prozesu honetan, xaflaren xedea lurruntze tenperaturara berotzen da lehenengo aldiz, lurruntzen eta likidoa edo gainazal solidoa uzten du. Ondoren, substantzia gaseoso horiek substratuaren azalera migratuko dute hutsean eta azkenean, film mehea eratzeko gordailua izango dute.
Prozesu hori lortzeko, lurruntze iturri bat plaka lurruntzeko tenperatura berotzeko erabiltzen da. Lurruntzeko iturrientzako hainbat aukera daude, erresistentzia berogailua, elektroi habeak, laser habeak eta beste batzuk barne. Horietatik, erresistentzia lurruntzeko iturriak eta elektroi-izpien lurruntzeko iturriak dira ohikoenak. Lurruntze iturri konbentzionalez gain, helburu bereziko lurruntzeko iturri batzuk ere badaude, esaterako maiztasun handiko indukzio berogailua, arku berogailua, berogailu distiratsua eta abar.
Honako hau da: hutsean lurruntzeko xaflaren oinarrizko prozesuaren fluxua:
1.Pre-plaka tratamendua: garbiketa eta kreatioa barne. Garbiketa-urratsak garbiketa garbiketa, disolbatzaile kimikoen garbiketa, ultrasoinu garbiketa eta ioi bonbardaketa garbiketa eta abar daude.
2. Firnace Kargatzea: Urrats honek hutsezko ganbera garbitzea, xurgatzaileen garbiketa garbitzea dakar.
3.Vacuum erauzketa: Lehenik eta behin, ponpaketa zakarra 6,6 pa gainetik egiten da eta, ondoren, difusio ponparen aurreko fasea aktibatuta dago hutsezko ponpa mantentzeko, eta gero difusio-ponpa berotzen da. Aurrez berotu ondoren, ireki balbula altua eta erabili difusio-ponpa, hutsean, 0,006pako hutsean ponpatzeko.
4.Baking: Plated zatiak nahi den tenperaturara berotzen dira.
5.ion Bonbardaketa: Ion Bonbardaketa 10 PA inguruko hutsean egiten da 0,1 PA-ra.
6.Pre-Melting: Egokitu korrontea aurrez urtzeko materiala eta degak minutu 1 minutuz 2 minututara.
7.Egiaztatzeko deposizioa: Egokitu lurruntzea korrontea behar den moduan, gordailuaren denbora nahi den arte lortu arte.
8.Cooling: hoztu plated zatiak tenperatura hutsean.
9.Disargailua: estalitako zatiak kendu ondoren, itxi hutsezko ganbera, ponpatu hutsean 0,1 PA eta, ondoren, hoztu difusio ponpa tenperatura baimendura eta, azkenik, itzali mantentze-ponpa eta hozteko ponpa.
10.Post-Tratamendua: Egin tratamendu osteko lana, hala nola, goiko armarria aplikatzea.
